В 2025 году искусственный интеллект (ИИ) активно внедряется в процесс разработки СВЧ интегральных схем. Мировые создатели САПР, стартапы и R&D-центры запускают первые коммерческие продукты, а профильные конференции всё чаще обсуждают подходы к автоматическому проектированию микросхем. В этом контексте особую значимость приобретают мероприятия, объединяющие теорию и практику - такие как практикум, проведённый в ТУСУРе в рамках Международной научно-практической конференции «Электронные средства и системы управления».

В практикуме приняли участие специалисты ведущих организаций радиоэлектронной отрасли Томска: НИИ МЭС ТУСУР, ООО «НПК Таир», АО «НПП «Радар ММС», ГК «Научное оборудование», АО «НИИПП», АО «НПФ «Микран», ООО «ЛЭМЗ-Т».

Участники практикума освоили быстрый синтез схемного решения ступенчатого аттенюатора на базе отечественной технологии 0,25 мкм GaAs pHEMT АО «Светлана-Рост». В работе использовалась программная платформа «50ohm Tech Circuit Studio», включающая инструменты ИИ для автоматизации проектирования.

За три часа участники:

• изучили ключевые принципы проектирования интегральных СВЧ-аттенюаторов;
• с помощью методов ИИ сгенерировали схемные решения секций 5-битного аттенюатора;
• определили порядок включения секций для достижения лучших характеристик.

Мероприятие продемонстрировало:

• потенциал отечественных технологий изготовления СВЧ интегральных схем;
• эффективность ИИ-инструментов для сокращения сроков проектирования;
• важность взаимодействия вузов и предприятий для развития технологической независимости.